[发明专利]硅通孔背面导通的制造工艺方法

摘要

本发明公开了一种硅通孔背面导通的制造工艺方法，其是在硅片正面刻蚀出深沟槽并淀积金属阻挡层及无缝填充金属，然后对硅背面采用背面减薄工艺，实施湿法刻蚀去除硅损伤层后再用光刻胶定义出硅通孔干法刻蚀区域，以化学干法刻蚀掉硅通孔区域的硅直至硅正面的深沟槽底部完全露出，然后淀积背面金属层使硅通孔与背面导通。本发明消除了硅通孔不能全部导通和背面金属层容易脱落的风险，提高了工艺可控性及可靠性。

主权项

一种硅通孔背面导通的制造工艺方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：步骤一，在硅片正面上制作沟槽，并淀积一层金属阻挡层；步骤二，采用金属对硅正面沟槽进行无缝填充；步骤三，对硅片正表面进行化学机械研磨完全去除表面的填充金属及金属阻挡层，再完成正面金属互连线及正面后端工艺；步骤四，采用传统的背面减薄工艺减薄硅片背面；步骤五，进行硅片背面湿法刻蚀去除背面减薄工艺产生的硅损伤层；步骤六，进行硅片背面光刻，定义背面的硅通孔导通区域；步骤七，背面干法刻蚀去除硅片背面所对应的硅通孔区域的硅，保证硅通孔的底部全部露出；步骤八，背面蒸镀金属，完成硅通孔的背面导通。