[发明专利]用于填充互连结构的方法及设备

摘要

本申请案涉及用于填充互连结构的方法及设备。本发明提供用于沉积铜及其它金属的方法、设备及系统。在一些实施方案中，将晶片衬底提供到设备。所述晶片衬底具有带有若干场区域及一特征的表面。将铜层镀敷到所述晶片衬底的所述表面上。将所述铜层退火以使铜从所述晶片衬底的若干区域重新分布到所述特征。所揭示的方法、设备及系统的实施方案允许对晶片衬底中的特征的无空隙自底向上填充。

主权项

一种用于填充互连结构的方法，其包括：(a)将晶片衬底提供到设备，所述晶片衬底包含具有若干场区域及一特征的表面，其中所述特征的宽度或直径小于100纳米；(b)将铜层共形地电镀到所述晶片衬底的所述表面上；及(c)将所述铜层在150℃到400℃的温度下退火，其中所述退火回流所述铜层中的铜并使所述铜从所述晶片衬底的若干场区域无空隙地重新分布到所述特征的底部；(d)重复操作(b)及(c)，直到所述特征的纵横比为2:1或更小为止。