[发明专利]像素结构及其制造方法有效
申请号: | 201210108713.0 | 申请日: | 2012-04-10 |
公开(公告)号: | CN102629612A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 黄德群;林祥麟;黄国有 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明有关于一种像素结构及其制造方法,其结构包括基板、扫描线、数据线、第一绝缘层、主动元件、第二绝缘层、电容电极及第一像素电极。扫描线与数据线相交错以及配置于基板上,且数据线包括彼此连接的线性传输部以及跨线传输部。第一绝缘层覆盖扫描线以及线性传输部并位于扫描线与跨线传输部之间。主动元件连接于扫描线与数据线,其中主动元件包括栅极、氧化物通道、源极及漏极。第二绝缘层位于氧化物通道以及线性传输部上方。电容电极配置于线性传输部上方。第一像素电极连接于漏极。藉此,可以降低像素结构中的寄生电容与耗电。本发明可以降低像素结构的寄生电容,进而减少像素结构的耗电量。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于,包括:一基板;一扫描线,配置于该基板上;一数据线,配置于该基板上,该扫描线与该数据线相交错,且该数据线包括彼此连接的一线性传输部以及一跨线传输部,其中该跨线传输部横跨该扫描线;一第一绝缘层,覆盖该扫描线以及该线性传输部并位于该扫描线与该跨线传输部之间;一主动元件,连接于该扫描线与该数据线,其中该主动元件包括:一栅极,连接该扫描线;一氧化物通道,位于该栅极上方,且该第一绝缘层位于该栅极与该氧化物通道之间;一源极,连接该数据线的该跨线传输部;以及一漏极,该源极与该漏极位于该氧化物通道的两侧;一第二绝缘层,包括位于该氧化物通道上方的一蚀刻阻挡图案以及位于该线性传输部上方的一隔离图案,且该隔离图案接触于该第一绝缘层;一电容电极,配置于该隔离图案上并且位于该线性传输部上方;以及一第一像素电极,连接于该漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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