[发明专利]沟槽型金属氧化物半导体场效应管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210106273.5 | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103378146A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 吴多武;黄国华 | 申请（专利权）人： | 上海北车永电电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 成春荣;竺云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子器件领域，公开了一种沟槽型金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。本发明中，不同宽度的沟槽，在填充多晶硅后形成两级场板的效果，可以将电场峰值转移至场板末端，即窄多晶硅的底部，同时通过优化长度可以降低电场峰值，提高耐压，提高产品的非钳制电感性开关特性，降低导通电阻，降低产品的导通功耗。沟槽穿透外延层，并深入到衬底中，可以避免沟槽底部存在电场，避免底部发生击穿现象。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，该场效应管的沟槽中包含多晶硅形成的不同宽度的两级场板。
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