[发明专利]用于编程擦除读取纳米级电阻性存储装置的页缓冲器架构有效
| 申请号： | 201210105258.9 | 申请日： | 2006-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102708912A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | C·S·比尔;W·D·蔡 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于编程擦除读取纳米级电阻性存储装置的页缓冲器架构，基于单一命令，提供高电流于编程和擦除功能，以仅编程和擦除其状态将从其先前状态改变的该存储装置(30)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 编程 擦除 读取 纳米 电阻 存储 装置 缓冲器 架构 | ||
【主权项】：
一种对电阻性存储装置(30)执行程序的方法，包括：提供数据信息至数据寄存器(66)；将来自该数据寄存器(66)的数据信息提供至锁存器(68)，其中，该锁存器(68)串联于该数据寄存器(66)；以及将来自该锁存器(68)的与将数据写入该存储装置(30)中相关的信息提供至写入驱动器(52)。
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