[发明专利]一种导电通道可控性形成的阻变式存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210104177.7 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102623637A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 张玉;李洁;陈莺飞;王宁;邓辉;吴玉林;赵璐;郑国林;崔丽敏;郭乃理;蒋凤英;金贻荣;田海燕;郑东宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启;马知非 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种导电通道可控性形成的阻变式存储器的制备方法包括以下步骤：1）制备氧化物薄膜，在基片上沉积设定厚度的氧化物薄膜；2）对氧化物薄膜进行离子辐照：入射的离子束沿垂直方向穿透所述氧化物薄膜到达所述基片中，并在氧化物薄膜中形成若干条导电通道；3）制备顶电极：在经过所述离子辐照后的氧化物薄膜的上表面上制备顶电极。本发明还包括通过上述方法制成的阻变式存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 通道 可控性 形成 阻变式 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种导电通道可控性形成的阻变式存储器的制备方法其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1）、制备氧化物薄膜，在基片上沉积设定厚度的氧化物薄膜； 2）、对氧化物薄膜进行离子辐照：入射的离子束沿垂直方向穿透所述氧化物薄膜到达所述基片中，并在氧化物薄膜中形成若干条导电通道；3）、制备顶电极：在经过所述离子辐照后的氧化物薄膜的上表面上制备顶电极。
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