[发明专利]以SiC为基底的石墨烯制备方法无效
| 申请号： | 201210103184.5 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102602923A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;吕晋军;张玉明;张克基;邓鹏飞;雷天民 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了以SiC为基底的石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、层数不均匀的问题。本发明中先对SiC样片进行标准清洗；将清洗后的SiC样片置于石英管中；利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管，在800-1100℃下SiC与气态CCl4反应，生成双层碳膜；再将生成的双层碳膜样片在Ar气中温度为1000-1200℃下退火10-30min，使双层碳膜重构成双层石墨烯。本发明具有工艺简单，安全性高，双层石墨烯表面光滑，孔隙率低的优点，可用于对气体和液体的密封。 | ||
| 搜索关键词： | sic 基底 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种以SiC为基底的石墨烯制备方法，包括以下步骤：(1)对SiC样片进行标准清洗，即先使用NH4OH+H2O2试剂浸泡样片10分钟，取出后烘干，再使用HCl+H2O2试剂浸泡样片10分钟；(2)将清洗后的SiC样片置于石英管中，加热至800‑1100℃；(3)对装有CCl4液体的三口烧瓶加热至65‑80℃，利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管中与SiC反应，生成双层碳膜，反应时间为20‑120min；(4)将生成的双层碳膜样片置于Ar气中在温度为1000‑1200℃下退火10‑30分钟，重构成双层石墨烯。
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