[发明专利]一种集成宽频带天线及其制作方法

摘要

本发明提供一种集成宽频带天线及其制作方法，通过在Si衬底上制作接地平面，在接地平面上制作具有流动性的有机介电材料并固化作为天线的基板，在该基板上制作天线图形，并在天线图形对应的区域刻蚀所述Si衬底形成介质空腔。本发明的集成宽频带天线克服了硅基集成天线介质基板较薄的缺点，与传统硅基集成天线相比，显著增加了天线的带宽并提高了天线的性能。本发明的制作工艺流程与埋置型芯片封装兼容，所制作出来的天线可以和芯片一起封装，与传统的外接天线方法相比，减小了信号线的传输距离，从而减小了损耗。同时，天线与芯片集成在一起，提高了可靠性，减小了体积，符合现代集成电路封装的趋势。

主权项

一种集成宽频带天线的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供一Si衬底，并在所述Si衬底的上、下表面形成上SiO2层及下SiO2层，在所述下SiO2层中刻蚀出一个窗口；2)在所述上SiO2层上制作第一种子层，在所述窗口的上垂向区域对应的第一种子层上形成光刻胶，然后在所述第一种子层上制作第一电镀层，去除所述光刻胶及被该光刻胶覆盖的第一种子层，以形成在所述窗口的上垂向区域具有凹槽结构的天线接地平面，并在所述接地平面上制作焊球；3)涂覆有机介电材料以覆盖所述接地平面及凹槽结构，并固化该机介电材料形成有机介电层；4)在所述有机介电层上制作第二种子层，制作在所述凹槽结构的上垂向区域具有天线图形窗口以及由该天线图形窗口朝向该焊球延伸的馈线图形窗口的光刻图形，然后在所述光刻图形上制作第二电镀层，并去除所述光刻图形及其所覆盖的第二种子层，以形成天线图形及天线馈线；5)以所述下SiO2层为掩膜自所述Si衬底的下表面刻蚀该Si衬底，以在所述凹槽结构的下垂向区域形成天线的介质空腔。