[发明专利]一种NAND闪存芯片及其棋盘格检查的芯片编程方法有效
| 申请号： | 201210099928.0 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN103366825A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;丁冲 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/10 | 分类号： | G11C29/10 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 栗若木;曲鹏 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NAND闪存芯片及其棋盘格检查的芯片编程方法；方法包括：将需要进行编程的序列传送到缓存中；所述序列包括第一、第二序列；所述第一、第二序列均为表示高、低电平的数值交替出现的序列，其中第一序列中的第一个数值为表示低电平的数值，第二序列中的第一个数值为表示高电平的数值；序列均传送进缓存后，用一个编程指令将所述缓存中的第一序列、第二序列中的一个序列传送到闪存主阵列中所有单数的页中，用另一个编程指令将所述第一序列、第二序列中的另一个序列传送到主阵列中所有双数的页中。本发明能提高NAND Flash的Check Board测试速度，降低测试成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 闪存 芯片 及其 棋盘 检查 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种NAND闪存芯片的棋盘格检查的芯片编程方法，包括：将需要进行编程的序列传送到缓存中；所述序列包括第一、第二序列；所述第一、第二序列均为表示高、低电平的数值交替出现的序列，其中第一序列中的第一个数值为表示低电平的数值，第二序列中的第一个数值为表示高电平的数值；序列均传送进缓存后，用一个编程指令将所述缓存中的第一序列、第二序列中的一个序列传送到闪存主阵列中所有单数的页中，用另一个编程指令将所述第一序列、第二序列中的另一个序列传送到主阵列中所有双数的页中。
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