[发明专利]石墨烯纳米窄带的制备方法有效
| 申请号： | 201210096862.X | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN103359719A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 林晓阳;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯纳米窄带的制备方法，包括以下步骤：提供一基底及一碳纳米管拉膜结构，将该碳纳米管拉膜结构设置于所述基底的上表面，该碳纳米管拉膜结构包括多个定向排列的碳纳米管束以及多个分布于所述碳纳米管束之间的带状间隙；将所述基底置于一蒸镀或溅镀系统中，以所述碳纳米管拉膜结构作为掩膜，蒸镀或溅镀一催化剂层于该基底的上表面；去除所述碳纳米管拉膜结构，在基底上获得多个定向排列的催化剂纳米窄带以及将所述基底置于一反应室内，通入碳源气与载气，控制生长条件，从而在基底上获得多个定向排列的石墨烯纳米窄带。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 纳米 窄带 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯纳米窄带的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一第一表面，设置一碳纳米管拉膜结构于该基底的第一表面，该碳纳米管拉膜结构包括多个定向排列的碳纳米管束以及多个分布于所述碳纳米管束之间的带状间隙；将所述基底置于一蒸镀或溅镀系统中，以所述碳纳米管拉膜结构作为掩膜蒸镀或溅镀一催化剂层，该催化剂层的一部分覆盖所述碳纳米管束，该催化剂层的另一部分透过所述带状间隙覆盖所述基底的第一表面；去除所述碳纳米管拉膜结构，在所述基底上获得多个定向排列的催化剂纳米窄带；将所述基底置于一反应室内，通入碳源气与载气，控制生长条件，在所述基底上获得多个定向排列的石墨烯纳米窄带。
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