[发明专利]一种具有双外壳的等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201210091577.9 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103367089A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王晔;梁洁 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有双外壳的等离子体处理装置，包括一腔室、平行的第一电极和第二电极，在所述腔室顶部通入有反应气体，在所述腔室中具有由射频源所激发的等离子体，其中，所述腔室包括第一腔体和第二腔体，所述第一腔体容纳有所述第一电极、所述第二电极，其中，所述第一腔体由可以通过射频能量但不能通过所述反应气体的材料制成；所述第二腔体设置于所述第一腔体外围，并连接于接地端，其中，在所述第一腔体和第二腔体之间的空间内通入有辅助气体，所述辅助气体能够被所述射频源激发。本发明能够有效地提高均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 外壳 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种具有双外壳的等离子体处理装置，包括一腔室、平行的第一电极和第二电极，在所述腔室顶部通入有反应气体，在所述腔室中具有由射频源所激发的等离子体，其中，所述腔室包括第一腔体和第二腔体，所述第一腔体容纳有所述第一电极、所述第二电极，其中，所述第一腔体由可以通过射频能量但不能通过所述反应气体的材料制成；所述第二腔体设置于所述第一腔体外围，并连接于接地端，其中，在所述第一腔体和第二腔体之间的空间内通入有辅助气体，所述辅助气体能够被所述射频源激发。
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