[发明专利]测量装置以及等离子体处理装置有效
申请号: | 201210090367.8 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN102738039A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 松土龙夫;木村英利 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01K11/00;H01J37/244;H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种测量装置以及等离子体处理装置,提高波长分辨率而扩大可测量的被检体的范围。该测量装置(150)的特征在于,具备:衍射光栅(104),其将厚度D的晶圆W的表面上反射的光以及在晶圆W的背面反射的光作为入射光而进行分光;光电二极管阵列(108),阵列状地设置多个光电二极管(108a)来得到该电二极管阵列(108),所述光电二极管(108a)接收由衍射光栅(104)分光得到的光并检测接收到的光的功率;以及压电元件(200),其安装于光电二极管阵列(108),将所输入的电压变换为力,其中,在由于压电元件(200)变换得到的力而使光电二极管阵列(108)沿阵列方向发生移动d/m位移时,光电二极管阵列(108)检测接收到的光的功率,m是2以上的整数,d是各光电二极管(108a)的阵列方向的宽度。 | ||
搜索关键词: | 测量 装置 以及 等离子体 处理 | ||
【主权项】:
一种测量装置,其特征在于,具备:波长分散元件,其将在厚度D的被检体的表面反射的光和在上述被检体的内面反射的光作为入射光来进行分光;检测器,将多个光检测元件阵列状地设置来得到该检测器,所述光检测元件接收由上述波长分散元件分光得到的光并检测接收到的光的功率;以及压电元件,其安装于上述检测器,将所输入的电压变换为力,其中,在由于上述压电元件变换得到的力而使上述检测器沿阵列方向发生位移d/m时,上述检测器检测上述接收到的光的功率,其中m是2以上的整数,d是各上述光检测元件沿阵列方向的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造