[发明专利]热处理控制系统及热处理控制方法无效
申请号: | 201210088719.6 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN102738037A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 吉井弘治;山口达也;王文凌;斋藤孝规 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324;G05D23/19 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够在装载晶片时可靠地推定晶片温度来对晶片施以迅速的热处理的热处理控制系统及热处理控制方法。热处理控制系统具备:处理被保持在载体中的晶片的处理容器、密封处理容器的盖体、加热处理容器的加热器以及控制加热器的控制装置。在盖体上设置有轮廓温度传感器保持件,在该轮廓温度传感器保持件上设置有轮廓温度传感器。轮廓温度传感器与温度推定部连接,温度推定部基于轮廓温度传感器的检测信号对该轮廓温度传感器的检测信号施以一阶延迟滤波来推定晶片的温度。控制装置基于由温度推定部求出的晶片的温度来控制加热器。 | ||
搜索关键词: | 热处理 控制系统 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种热处理控制系统,其特征在于,具备:炉本体;加热部,设置于炉本体内表面;处理容器,配置在炉本体内,且下端形成有开口;盖体,在上下方向上移动自如地被设置且对处理容器的下端开口进行密封;保持件,设置在盖体上且内部收纳多个被处理体,并将被处理体插入处理容器内;处理容器内温度传感器,与被处理体一同被插入到处理容器内,检测处理容器内的温度;温度推定部,基于来自处理容器内温度传感器的检测信号,对该来自处理容器内温度传感器的检测信号施以一阶延迟滤波来推定被处理体的温度;和控制装置,基于由温度推定部推定出的被处理体的温度来控制加热部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造