[发明专利]微加热装置及形成方法有效
| 申请号： | 201210088186.1 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367322A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微加热装置及形成方法，通过金属导线将与待测MOS器件栅极相邻的伪栅连接，并使金属导线与测试电源连接，以对伪栅提供电压，通过伪栅的焦耳热效应对待测MOS器件加热，并通过控制伪栅中的电压控制伪栅产生的热量，进而控制待测MOS器件的温度，使MOS器件的温度达到对其进行性能测试的测试温度。本发明中为待测MOS器件升温的微加热装置及加热方法，可独立的利用微加热装置进行加热，使得待检测MOS器件受热均匀，且温度可控。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种微加热装置，其特征在于，包括待测MOS器件，所述待测MOS器件包括位于半导体衬底上的栅极，以及位于半导体衬底上与待测MOS器件栅极相邻设置的伪栅；位于所述半导体衬底上覆盖所述伪栅以及待测MOS器件栅极的第一介质层；位于所述第一介质层上的第二介质层，贯穿所述第二介质层且与栅极连接的第一插塞，贯穿所述第二介质层且与伪栅连接的第二插塞，以及贯穿所述第一介质层和第二介质层且与待测MOS器件源极及漏极连接的第三插塞，所述第三插塞的位置与伪栅的位置不重合；位于所述第二介质层上且与第一插塞连接的感测节点，以及位于所述第二介质层上且与第二插塞连接的金属导线，金属导线通过第二插塞与伪栅连接；其中，金属导线与测试电源连接，利用所述伪栅对待测MOS器件加热。
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