[发明专利]发光器件的制造方法有效
申请号: | 201210086655.6 | 申请日: | 2012-03-28 |
公开(公告)号: | CN102738342B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 白好善;金学焕;吴承璟 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 陈源,张天舒 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括具有第一N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层的化合物半导体结构;位于所述P型化合物半导体层上并与所述P型化合物半导体层电连接的P型电极层;位于所述化合物半导体结构和所述P型电极层的两侧的多个绝缘壁;穿透所述多个绝缘壁的多个N型电极层;以及导电衬底,在所述导电衬底中分别对应于所述多个N型电极层的多个N型电极连接层与对应于所述P型电极层的P型电极连接层分开。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造发光器件的方法,该方法包括步骤:在衬底上形成多个绝缘壁;在由所述多个绝缘壁限定的内部空间中形成化合物半导体结构和P型电极层;在所述多个绝缘壁中形成对应的多个N型电极层;以及附接导电衬底,在所述导电衬底中多个N型电极连接层与P型电极连接层分开,其中,所述附接所述导电衬底的步骤包括步骤:穿透所述导电衬底以形成多个孔;以及用绝缘材料填充所述多个孔中的每一个并且形成将所述P型电极连接层与所述多个N型电极连接层分开的多个隔墙。
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