[发明专利]一种晶体硅太阳能电池选择性发射极的制备方法无效
| 申请号： | 201210084993.6 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102610697A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 鲁伟明 | 申请（专利权）人： | 泰通（泰州）工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 225312 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：（a）在晶体硅片绒面上通过阳极氧化的方法生长扩散掩膜，再腐蚀或者激光开槽形成电极栅线区域；（b）采用一次扩散工艺，在电极栅线区域形成重掺杂区，在非电极栅线区域形成浅掺杂区，至此这种晶体硅太阳能电池选择性发射极制备完毕。这种晶体硅太阳能电池选择性发射极的制备方法是采用阳极氧化的方法，在室温下制备扩散阻挡层，同时不需要真空设备，设备简单，廉价，适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 选择性 发射极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征是，包括以下步骤：（a）在晶体硅片绒面上通过阳极氧化的方法生长扩散掩膜，再腐蚀或者激光开槽形成电极栅线区域；（b）采用一次扩散工艺，在电极栅线区域形成重掺杂区，在非电极栅线区域形成浅掺杂区，至此这种晶体硅太阳能电池选择性发射极制备完毕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
