[发明专利]多晶薄膜和其制造方法及氧化物超导导体有效
| 申请号： | 201210082688.3 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102676993A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 饭岛康裕;羽生智 | 申请（专利权）人： | 株式会社藤仓;财团法人国际超电导产业技术研究中心 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C30B29/16;H01B12/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;赵曦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶薄膜和其制造方法及氧化物超导导体，其目的在于，提供通过在维持良好的晶体取向性的同时将中间层薄膜化、从而防止由膜的内部应力导致的基板的翘曲的多晶薄膜。本发明的多晶薄膜，其特征在于，在金属基材上形成中间层，所述中间层依次层叠第一层和第二层而成，所述第一层和所述第二层的晶体结构分别为岩盐结构和萤石结构，所述第一层和所述第二层的取向轴相同，均为<100>取向。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制造 方法 氧化物 超导 导体 | ||
【主权项】：
一种多晶薄膜，其特征在于，在金属基材上形成中间层，所述中间层依次层叠第一层和第二层而成，所述第一层和所述第二层的晶体结构分别为岩盐结构和萤石结构，所述第一层和所述第二层的取向轴相同，均为<100>取向。
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