[发明专利]一种N⁺/N型黑硅新结构及制备工艺有效

申请号：	201210082258.1	申请日：	2012-03-27
公开（公告）号：	CN103367476A	公开（公告）日：	2013-10-23
发明（设计）人：	蒋亚东;李世彬;苏元捷;姜晶;吴志明	申请（专利权）人：	电子科技大学
主分类号：	H01L31/028	分类号：	H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司：	成都华典专利事务所(普通合伙) 51223	代理人：	徐丰;杨保刚
地址：	611731 四川省成***	国省代码：	四川;51
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摘要：	本发明公开了一种N+/N型黑硅新结构。该结构以黑硅材料为光敏吸收层，梳状电极和平面金属电极分别为上、下电极。利用飞秒激光脉冲轰击或湿法刻蚀结合离子注入的方法制备的N+型黑硅光敏吸收层能够吸收紫外-可见光-近红外波段的光波，比传统硅探测器具有更高的光吸收率和更宽的吸收光谱。克服了传统硅在大于1100nm波长范围光吸收率低、响应率低的问题。该结构的在250nm—2500nm响应率范围为40—60A/W，信噪比范围为20—22dB。该发明为高响应度宽光谱光电器件的研究奠定了坚实的基础。
搜索关键词：	一种 sup 型黑硅新结构制备工艺
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【主权项】：

一种N+/N型黑硅新结构，其特征在于：包括N型硅衬底1、N+黑硅光敏吸收层2、位于黑硅光敏吸收层2上表面的上电极3，以及位于N型硅衬底1下表面的下电极4。

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