[发明专利]一种对金属电容上电极的刻蚀方法

摘要

本发明涉及一种对金属电容上电极的刻蚀方法，该金属电容包含在衬底上淀积的第一金属层，在第一金属层上淀积的绝缘层，在绝缘层上淀积的作为金属电容上电极的第二金属层；该方法包含：步骤1主刻蚀：使用化学刻蚀结合物理轰击的方法，图案化垂直刻蚀金属电容的上电极第二金属层，形成若干凹槽并在凹槽底部剩余部分第二金属层残留；步骤2过刻蚀：使用纯化学刻蚀方法，施加一个低偏压射频功率，垂直刻蚀凹槽内剩余部分的第二金属层及一定厚度的绝缘层。利用本发明方法，可避免金属电容上电极的侧壁被横向水平刻蚀，保证其垂直度和完整性；并可有效改善刻蚀后剩余绝缘层的电介质厚度的一致性和稳定性，有利于提高制成后的成品金属电容的质量和性能。

主权项

一种对金属电容上电极的刻蚀方法，所述金属电容包含在晶圆衬底（1）上淀积生成的第一金属层（2），在所述第一金属层（2）上淀积生成的绝缘层（3），以及在所述绝缘层（3）上淀积生成作为金属电容上电极的第二金属层（4）；其特征在于，所述对金属电容上电极的刻蚀方法具体包含以下步骤：步骤1、主刻蚀：使用化学刻蚀结合物理轰击的方法，图案化垂直刻蚀金属电容的上电极第二金属层（4），形成若干凹槽，该主刻蚀步骤由特征波长的光谱发射强度变化控制刻蚀终点，此时将在凹槽底部剩余部分第二金属层4残留；步骤2、过刻蚀：使用纯化学刻蚀方法，并施加一个低偏压射频功率，进一步刻蚀凹槽内剩余部分的第二金属层（4）残留及一定厚度的绝缘层（3）。