[发明专利]共源极运算放大器及其制造方法无效
| 申请号： | 201210081387.9 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102623502A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种共源极运算放大器及其制造方法，通过利用掩膜层覆盖在漏极区域上方的侧墙沉积层并采用中性离子对源极区域上方的侧墙沉积层进行离子注入，使得在侧墙刻蚀工艺中对源极区域上方的侧墙沉积层的刻蚀速度要大于漏极区域上方的侧墙沉积层的刻蚀速度，刻蚀后源极侧墙的截面宽度相对较小，而漏极侧墙的截面宽度相对增大；在源漏重掺杂注入和退火工艺后，源极重掺杂区的掺杂离子离沟道距离被拉近，漏极重掺杂区的掺杂离子与沟道的距离被拉远，提高了共源极运算放大器的频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 共源极 运算放大器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种共源极运算放大器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括源极区域和漏极区域；形成于所述衬底上的栅极结构；形成于所述源极区域上方的源极侧墙以及形成于所述漏极区域上方的漏极侧墙，所述漏极侧墙的截面宽度大于源极侧墙的截面宽度；形成于所述衬底中的源极重掺杂区和漏极重掺杂区，所述源极重掺杂区和漏极重掺杂区为非对称结构，所述源极重掺杂区比漏极重掺杂区更靠近沟道。
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