[发明专利]鳍状场效晶体管及其工艺在审
| 申请号： | 201210080899.3 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN103325683A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 林建廷;江文泰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种鳍状场效晶体管(FinFET)及其工艺，该工艺包括下述步骤。首先，提供基底。接着，形成第一鳍状场效晶体管以及第二鳍状场效晶体管于基底上，其中第一鳍状场效晶体管包括第一金属层，而第二鳍状场效晶体管包括第二金属层。然后，进行处理工艺于第一金属层，以改变第一鳍状场效晶体管的临限电压。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍状场效 晶体管 及其 工艺 | ||
【主权项】：
一种鳍状场效晶体管工艺，包括：提供基底；形成第一鳍状场效晶体管以及第二鳍状场效晶体管于该基底上，其中该第一鳍状场效晶体管包括第一金属层，而该第二鳍状场效晶体管包括第二金属层；以及进行处理工艺于该第一金属层，以改变该第一鳍状场效晶体管的临限电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
