[发明专利]纳米结构在基底上的可控生长以及基于此的电子发射器件有效
| 申请号： | 201210080490.1 | 申请日： | 2006-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102709132A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔 | 申请（专利权）人： | 斯莫特克有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;B82Y30/00;H01J3/02;H01J9/02;D01F9/127;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在金属基底上生长纳米结构的方法及其制造方法。根据本方法生长的纳米结构适合于制造如电子束直写机之类的电子器件或者场致发射显示器。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 基底 可控 生长 以及 基于 电子 发射 器件 | ||
【主权项】：
一种纳米结构组件，包括：导电基底；由所述导电基底支撑的纳米结构；以及位于所述导电基底和纳米结构之间的多个中间层，所述多个中间层包括至少一个影响纳米结构形态的层和至少一个影响导电基底和纳米结构之间界面的电学性质的层。
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