[发明专利]散热结构制作方法无效
申请号: | 201210074799.X | 申请日: | 2012-03-20 |
公开(公告)号: | CN103325689A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种散热结构的制作方法。首先提供一散热基板,接着于该散热基板的一面形成钻石颗粒或薄膜;于该钻石颗粒或薄膜上涂布一乳胶聚合物层,构成一散热器件,最后将该散热器件与一发热器件结合在一起。由于钻石本身的分子结构为碳-碳链,与乳胶聚合物等有机高分子结构具有良好的化学亲合性及结合性,故在涂布后亦结合成为一体,并在室温下为一固体膜,不会产生空气间隙或贴合不致密等问题。 | ||
搜索关键词: | 散热 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
一种散热结构的制作方法,其特征在于,包含:提供一散热基板;于该散热基板的一面形成钻石颗粒或薄膜;于该钻石颗粒或薄膜上涂布一乳胶聚合物层,构成一散热器件;以及将该散热器件与一发热器件结合在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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