[发明专利]用于形成双面薄膜光伏电池的方法和薄膜太阳能装置无效
申请号: | 201210072214.0 | 申请日: | 2012-03-16 |
公开(公告)号: | CN102683482A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 阿希什·坦登;弗雷德·米库勒克 | 申请(专利权)人: | 思阳公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/073;H01L31/032 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于形成双面薄膜光伏电池的方法和薄膜太阳能装置。用于形成双面薄膜光伏电池的方法包括:提供具有被中间层覆盖的表面区域的玻璃基板,以及在表面区域上形成包膜光伏电池。此外,薄膜光伏电池包括覆盖所述中间层的阳极、位于所述阳极上方的吸收器、以及位于所述吸收器上方窗层和阴极,窗层和阴极之间具有缓冲层。阳极包括铝掺杂锌氧化物(AZO)层,用于与中间层形成第一界面并且与吸收器形成第二界面。AZO构造为引起第一界面处的费米能级别钉扎和从第一界面到第二界面的应变场。 | ||
搜索关键词: | 用于 形成 双面 薄膜 电池 方法 太阳能 装置 | ||
【主权项】:
一种用于形成双面薄膜光伏电池的方法,所述方法包括:提供具有被中间层覆盖的表面区域的玻璃基板;在所述表面区域上形成薄膜光伏电池,所述薄膜光伏电池包括覆盖所述中间层的阳极、位于所述阳极上方的吸收器、以及位于所述吸收器上方的窗层和阴极,所述窗层和阴极与所述吸收器之间具有缓冲层;其中,所述阳极包括铝掺杂的锌氧化物(AZO)层以与所述中间层形成第一界面并与所述吸收器形成第二界面,所述AZO层构造为引起所述第一界面处的费米能级钉扎以及从所述第一界面到所述第二界面的应变场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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