[发明专利]一种动态电流倍增电路及集成该电路的线性稳压器

摘要

本发明公开了一种动态电流倍增电路及集成该电路的线性稳压器。本发明的动态电流倍增电路能够根据外部输出负载的情况，动态的调整输出偏置电压的大小。集成了的动态电流倍增电路的低压差线性稳压器，在输出电压发生跳变时，能够在极短的时间将跳变电压通过电容耦合到动态电流倍增电路中，通过控制偏置电压的大小使跨导运算放大器的差分对的尾电流源电流瞬间增大，使得调整管的栅电压能够得到快速的调整，克服了由于调整管栅极电压变化缓慢所造成的摆率低的问题，并且差分对的尾电流源电流的增大，也增大了差分对管的跨导，从而增大了LDO的带宽，而且尾电流源电流只是瞬间增大，不会消耗过多的功耗。

主权项

一种动态电流倍增电路，包括，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管，第七PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管及第一电阻和第一电容，具体连接关系为：第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极相连连接到第二偏置电压，第一PMOS管的源极连接外部电源电压，漏极连接第一NMOS管的漏极、栅极及第一电阻单元的一端，第一NMOS管的源极连接地电位；第一电阻单元的另一端连接第二NMOS管的栅极、第一电容的一端、第三NMOS管的栅极，第一电容的另一端作为动态电流倍增电路的输入端；第二NMOS管的源极连接地电位，漏极连接第二PMOS管的漏极、第五NMOS管的栅极、第五PMOS管的栅极，第二PMOS管的源极连接外部电源电压；第三NMOS管的漏极连接第三PMOS管的栅极和漏极及第四PMOS管的栅极，源极连接地电位，第三PMOS管的源极连接外部电源电压；第四PMOS管的源极连接外部电源电压，漏极连接第四NMOS管的漏极及第六PMOS管、第八NMOS管的栅极；第四NMOS管、第七NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管的栅极相连连接第一偏置电压，第四NMOS管的源极连接地电位；第五PMOS管、第五NMOS管的漏极相连连接第六NMOS管的栅极，第五PMOS管的源极连接外部电源电压，第五NMOS管的源极连接地电位；第六NMOS管的漏极、第九NMOS管的漏极、第十一NMOS管的漏极、第七PMOS管的漏极与栅极相连作为动态电流倍增电路的输出端，第六NMOS管的源极连接第七NMOS管的漏极，第七NMOS管的源极连接地电位；第六PMOS管的漏极与第八NMOS管的漏极相连连接到第九NMOS管的栅极，第六PMOS管的源极连接外部电源电压，第八NMOS管的源极连接地电位；第九NMOS管的源极连接第十NMOS管的漏极，第十NMOS管的源极连接地电位；第十一NMOS管的源极连接地电位，第七PMOS管的源极连接外部电源电压。