[发明专利]一种用于太阳电池的硅基纳米结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种用于太阳电池的硅基纳米结构及其制备方法，该方法包括：清洗硅片；在硅片表面上旋涂覆盖上单层PS球；对PS球进行刻蚀，减小PS球尺寸；在硅片表面沉积金属薄膜层，形成金属掩膜；将硅片表面剩余的PS球去除，剩下金属掩膜层；采用干法刻蚀或湿法腐蚀方法，形成硅基纳米结构；浓酸加热处理硅片，去除剩余的金属，完成硅基纳米结构的制备。本发明利用PS球掩蔽和金属薄膜生长，结合干法和湿法腐蚀，提供了一种用于太阳电池的硅基纳米结构的制备方法。利用本发明制备的硅基纳米结构，具有超低的反射率和高效的陷光能力，能够增强太阳电池的光吸收，提高太阳电池的效率。

主权项

一种用于太阳电池的硅基纳米结构的制备方法，其特征在于，包括：清洗硅片；在硅片表面上旋涂覆盖上单层PS球；对PS球进行刻蚀，减小PS球尺寸；在硅片表面沉积金属薄膜层，形成金属掩膜；将硅片表面剩余的PS球去除，剩下金属掩膜层；采用干法刻蚀或湿法腐蚀方法，形成硅基纳米结构；以及浓酸加热处理硅片，去除剩余的金属，完成硅基纳米结构的制备。