[发明专利]发光二极管阵列芯片结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管阵列芯片结构，包括衬底，其特征在于：在衬底上设有缓冲层，在缓冲层的顶面设有n型层，在缓冲层与n型层之间设有线状平行排列的n型层引线；在n型层的顶面设有RGB发光层，在RGB发光层、n型层及缓冲层之间设有与n型层引线对应的隔离层Ⅰ；在RGB发光层的顶面上设有p型层，在p型层的顶面上设有透明电机层，在透明电机层的顶面上设有p型层引线，在p型层与透明电机层之间设有与p型层引线位置对应的隔离层Ⅱ，在隔离层Ⅱ的顶面设有覆盖了透明电极层，但是露出了p型层引线的钝化保护层。本发明所制作得到的产品在整体可实现真彩发光、一定发光区域组合方式下实现白光或单色光发射。

主权项

一种发光二极管阵列芯片结构，包括衬底（1），其特征在于：在衬底（1）上设有缓冲层（2），在缓冲层（2）的顶面设有n型层（4），在缓冲层（2）与n型层（4）之间设有线状平行排列的n型层引线（3），在n型层（4）上设有与n型层引线（3）位置对应的凸起，该凸起向两侧延伸；在n型层（4）的顶面设有RGB发光层，在RGB发光层、n型层（4）及缓冲层（2）之间设有与n型层引线（3）对应的隔离层Ⅰ（8），每个隔离层Ⅰ（8）均与对应的n型层引线（3）接触；在RGB发光层的顶面上设有p型层（9），在p型层（9）的顶面上设有透明电机层（10），在透明电机层（10）的顶面上设有p型层引线（11），在p型层（9）与透明电机层（10）之间设有与p型层引线（11）位置对应的隔离层Ⅱ（12），隔离层Ⅱ（12）与p型层引线（11）接触，在隔离层Ⅱ（12）的顶面设有覆盖了透明电极层（10），但是露出了p型层引线（11）的钝化保护层（13）。