[发明专利]一种p-CuO-n-ZnO太阳能电池及其制备方法

摘要

一种p-CuO-n-ZnO太阳能电池，底层至顶层依次叠加为ITO衬底、垂直定向的ZnO纳米棒阵列、CuO薄膜和Au电极，垂直定向的ZnO纳米棒阵列作n型半导体吸收层，CuO薄膜作p型半导体光吸收层和空穴传输层；其制备方法是：利用溶胶凝胶法在ITO上制备ZnO籽晶层，化学浴沉积法制备垂直定向的氧化锌纳米棒阵列，原位生长法在ZnO纳米棒阵列上制备CuO薄膜，用离子束溅射仪溅射Au电极。本发明的优点是：该制备方法设备简单、成本低；采用CuO作为光吸收层和空穴传输层，与有机材料相比有更好的电迁移能力；结合无机ZnO的电传导特性，CuO的高的光吸收和低的热发射度，可有效提高太阳能电池的光电转换效率。

主权项

一种p‑CuO‑n‑ZnO太阳能电池，其特征在于：底层至顶层依次叠加为ITO衬底、垂直定向的ZnO纳米棒阵列、CuO薄膜和Au电极，其中垂直定向的ZnO纳米棒阵列作为n型半导体吸收层，CuO薄膜作为p型半导体光吸收层和空穴传输层。