[发明专利]掺钬氟化钆钇钡晶体及其生长方法无效
| 申请号： | 201210057151.1 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102586870A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 曾繁明;李春;张学建;刘景和;谷亮;林海;张山丽;苗东伟;刘敏时 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B15/00 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 掺钬氟化钆钇钡晶体及其生长方法属于光电子材料技术领域。现有Ho:BaY2F8晶体掺杂浓度低，尺寸小、晶体形貌差。本发明之掺钬氟化钆钇钡晶体属于单斜晶系，以稀土元素钬为激活离子，晶体基质为氟化钆钇钡，掺钬氟化钆钇钡晶体分子式为Ho:BaYGdF8。本发明之掺钬氟化钆钇钡晶体生长方法包括生长料制备、晶体生长以及退火三个步骤。在生长料制备步骤中，提供F、Gd、Y、Ba元素的原料及摩尔比为BaF2∶GdF3∶YF3＝1∶1∶1，确定HoF3为x摩尔，GdF3为(1-x)摩尔，BaF2为1摩尔，其中x的取值范围为0.005mol≤x≤1mol；在晶体生长步骤中，晶体生长工艺参数确定为：提拉速度0.3～0.8mm/h，旋转速度3～10rpm，生长温度880～903℃。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化 钆钇钡 晶体 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种掺钬氟化钆钇钡晶体，属于单斜晶系，以稀土元素钬为激活离子，其特征在于，晶体基质为氟化钆钇钡，掺钬氟化钆钇钡晶体分子式为Ho:BaYGdF8。
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