[发明专利]硒化铟铜基光伏器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210056628.4 | 申请日： | 2007-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102646724A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | T·D·巴纳德;Y·哈尔莫图;H·哈坦纳卡;M·伊藤;D·E·卡佐里斯;M·苏托;B·朱;L·M·伍兹;J·H·阿姆斯特龙戈;R·M·里贝林 | 申请（专利权）人： | 道康宁公司;ITN能量系统公司;道康宁东丽株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;陆惠中 |
| 地址： | 美国，*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及硒化铟铜基光伏器件及其制造方法。硒化铟铜(CIS)基光伏器件包括CIS基太阳能吸收层，所述CIS基太阳能吸收层包括铜、铟和硒。CIS基光伏器件进一步包括衬底，所述衬底包括由硅氧烷组合物形成的硅氧烷层、以及金属箔层。由于硅氧烷层和金属箔层的存在，衬底既是挠性的，又足以抵抗超过500℃的退火温度，以获得器件的最大效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硒化铟铜基光伏 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
硒化铟铜(CIS)基光伏器件(104)，其包括：CIS基太阳能吸收层(506)，其包含铜、铟和硒；和衬底(106)，其包括由硅氧烷组合物形成的硅氧烷层(306)、和金属箔层(312)；其中所述硅氧烷组合物进一步被限定为缩合可固化硅氧烷组合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
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