[发明专利]一种全无机肖特基量子点太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201210054853.4 | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN102637754A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 李岚;任志瑞;王丽师;李梦真;李波;葛林;陈义鹏;李萍;李开祥;姜立芳 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种全无机肖特基量子点太阳能电池，以ITO玻璃（掺Sn的In2O3导电玻璃）为衬底，由ITO阳极、PbS量子点层和铝阴极依次叠加构成，PbS量子点层的厚度为100nm，铝阴极的厚度为100nm，其制备方法是：在清洗、干燥后的衬底上依次旋涂PbS量子点氯仿溶液、巯基丙酸甲醇溶液和甲醇溶液并进行真空热退火，最后真空热蒸镀上铝电极。本发明的优点是：该全无机的量子点太阳能电池，可以通过调节量子点粒径的大小改变电池对太阳光的吸收，也可以改变电池的开路电压和短路电流，并且制备工艺简单，制备时间短，制备成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无机 肖特基 量子 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种全无机肖特基量子点太阳能电池，其特征在于：以ITO玻璃(掺Sn的In2O3导电玻璃)为衬底，由ITO阳极、PbS量子点层和铝阴极依次叠加构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学，未经天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210054853.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
