[发明专利]一种快速查找晶圆划伤缺角沾污的方法有效
| 申请号： | 201210052475.6 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN103295928A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 栾广庆;吕淑瑞;邓燕 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 顾珊;汪洋 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快速查找晶圆划伤缺角沾污的方法，包括：将已确认的造成晶圆划伤缺角沾污的设备的名称和硬件尺寸汇总做成数据库1；统计晶圆制造过程中与所述晶圆发生接触的所有设备的名称和硬件尺寸，并将上述所有的硬件尺寸和晶圆的接触位置做成统一的数据库2；按照0.5mm的像素点对所述晶圆进行划分；在所划分的所述晶圆中确定划伤的起点和终点；选取与所述划伤最近似的曲线；根据所述曲线的形状和长度从所述数据库2中选取对应的数据，并将所选取的数据与所述数据库1中的数据进行对比；将确认的结果数据输入所述数据库1，以作为后续判断问题的参考依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 查找 划伤 沾污 方法 | ||
【主权项】：
一种快速查找晶圆划伤缺角沾污的方法，包括：将已确认的造成晶圆划伤缺角沾污的设备的名称和硬件尺寸汇总做成数据库1；统计晶圆制造过程中与所述晶圆发生接触的所有设备的名称和硬件尺寸，并将上述所有的硬件尺寸和晶圆的接触位置做成统一的数据库2；按照0.5mm的像素点对所述晶圆进行划分；在所划分的所述晶圆中确定划伤的起点和终点；选取与所述划伤最近似的曲线；根据所述曲线的形状和长度从所述数据库2中选取对应的数据，并将所选取的数据与所述数据库1中的数据进行对比；将确认的结果数据输入所述数据库1，以作为后续判断问题的参考依据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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