[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201210049118.4 申请日: 2012-02-29
公开(公告)号: CN103296103A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 鹿野康行;杉渕康一;合田晋二;石川直挥 申请(专利权)人: 日本琵维吉咨询株式会社
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 毛立群;王忠忠
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种可实现充分的转换效率的大型太阳能电池单元及其制造方法。本发明提供的太阳能电池单元,由形成于单晶硅衬底的一个面上的p型扩散层;形成于另一个面上的n型扩散层;在p型扩散层上局部地形成的一个或多个电极;以及在n型扩散层上局部地形成的一个或多个电极构成,其中,在p型扩散层形成有多个高浓度p型扩散区域和位于这些高浓度p型扩散区域间的低浓度p型扩散区域,在n型扩散层形成有多个高浓度n型扩散区域和位于这些高浓度n型扩散区域间的低浓度n型扩散区域,电极邻接所述高浓度p型扩散区域及高浓度n型扩散区域而形成,表面发电能力为转换效率18%以上,形成有n型扩散层的另一个面中的转换效率为形成有p型扩散层的一个面中的转换效率的93%以上。
搜索关键词: 太阳能电池 单元 及其 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池单元,由n型单晶硅衬底;形成于所述单晶硅衬底的一个面上的p型扩散层;形成于所述单晶硅衬底的另一个面上的n型扩散层;在所述p型扩散层上局部地形成的一个或多个受光面栅极电极及汇流条电极;以及,在所述n型扩散层上局部地形成的一个或多个受光面栅极电极及汇流条电极构成,其中,在所述p型扩散层形成有多个高浓度p型扩散区域和位于这些高浓度p型扩散区域间的低浓度p型扩散区域,在所述n型扩散层形成有多个高浓度n型扩散区域和位于这些高浓度n型扩散区域间的低浓度n型扩散区域,所述受光面栅极电极及汇流条电极邻接所述高浓度p型扩散区域及高浓度n型扩散区域而形成,表面发电能力为转换效率18%以上,形成有n型扩散层的另一个面中的转换效率为形成有p型扩散层的一个面中的转换效率的93%以上。
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