[发明专利]氮化物半导体层及其形成方法以及半导体发光器件

摘要

本发明涉及半导体发光器件、氮化物半导体层以及形成氮化物半导体层的方法。根据实施例，一种半导体发光器件包括基础层、第一半导体层、发光层以及第二半导体层。所述基础层具有不平坦部，所述不平坦部具有凹部、侧部和凸部。所述基础层的第一主表面具有覆盖区。所述基础层具有多个位错，所述位错包括其一端到达所述凹部的第一位错和其一端到达所述凸部的第二位错。到达所述第一主表面的所述第二位错的数目对所有所述第二位错的数目的比例小于到达所述第一主表面的所述第一位错的数目对所有所述第一位错的数目的比例。到达所述第一主表面的所述覆盖区的位错的数目小于所有所述第一位错的数目。

主权项

一种半导体发光器件，包括：基础层，其具有第一主表面和在与所述第一主表面相反侧上的第二主表面，所述基础层包含氮化物半导体；第一导电类型的第一半导体层，其包含氮化物半导体，所述第一半导体层沿层叠方向与所述基础层层叠；发光层，其被设置在所述基础层与所述第一半导体层之间，所述发光层包含氮化物半导体；以及第二导电类型的第二半导体层，其被设置在所述基础层与所述发光层之间，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同，所述第二半导体层包含氮化物半导体，所述第一主表面面对所述第二半导体层，所述基础层具有设置在所述第二主表面上的不平坦部，所述不平坦部具有凹部、侧部和凸部，所述第一主表面具有在沿所述层叠方向观察时覆盖所述凹部的覆盖区，所述基础层具有多个位错，所述位错包括第一位错和第二位错，所述第一位错的一端到达所述凹部，所述第二位错的一端到达所述凸部，至少一个所述第二位错的另一端到达所述侧部而不到达所述第一主表面，到达所述第一主表面的所述第二位错的数目对所有所述第二位错的数目的比例小于到达所述第一主表面的所述第一位错的数目对所有所述第一位错的数目的比例，且到达所述第一主表面的所述覆盖区的位错的数目小于所有所述第一位错的数目。