[发明专利]一种多台光刻设备校正方法有效
| 申请号： | 201210047391.3 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102566322A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 戴韫青;王剑;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多台光刻设备校正方法，包括以下步骤：步骤1：将标准掩模板用标准光刻机曝光标准硅片，所述标准掩模板上集成检测图形；步骤2：测量标准掩模板上检测图形的尺寸，并得出标准光刻机的尺寸基准数据；测量标准硅片上缺陷的种类和数量，并得出标准光刻机的缺陷基准数据；步骤3：用标准掩模板在待校正光刻机上曝光待校正硅片；步骤4：测量待校正硅片上检测图形的尺寸数据，并得出待校正光刻机的尺寸数据，测量待校正硅片上缺陷的种类和数量，并得出待校正光刻机的缺陷数据；步骤5：比较标准光刻机和待校正光刻的尺寸基本数据和尺寸数据、缺陷基准数据和缺陷数据，根据数据比较结果调整待校正光刻机。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 设备 校正 方法 | ||
【主权项】：
一种多台光刻设备校正方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将标准掩模板用标准光刻机曝光标准硅片，所述标准掩模板上集成检测图形；步骤2：测量标准掩模板上检测图形的尺寸，并得出标准光刻机的尺寸基准数据；测量标准硅片上缺陷的种类和数量，并得出标准光刻机的缺陷基准数据；步骤3：用标准掩模板在待校正光刻机上曝光待校正硅片；步骤4：测量待校正硅片上检测图形的尺寸数据，并得出待校正光刻机的尺寸数据，测量待校正硅片上缺陷的种类和数量，并得出待校正光刻机的缺陷数据；步骤5：比较标准光刻机和待校正光刻机的尺寸基本数据和尺寸数据、缺陷基准数据和缺陷数据，根据数据比较结果调整待校正光刻机。
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