[发明专利]非接触式控制铸锭单晶硅籽晶熔化剩余高度的方法有效
| 申请号： | 201210047063.3 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102586857A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 叶宏亮;陈雪;黄振飞 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非接触式控制铸锭单晶硅籽晶熔化剩余高度的方法，具有如下步骤：1)在坩埚底部铺设籽晶；2)在籽晶上铺设低堆积密度硅料层；3)在低堆积密度硅料层上，铺设高堆积密度硅料层；4)在高堆积密度硅料层上放入掺杂剂及其它多晶硅原料；5)将按照1至4步骤进行装料的坩埚置于铸锭炉中熔化，通过激光测距仪实时测量硅熔体液面；6)当监测到硅熔体液面高度加快下降时，控制铸锭炉由熔化阶段跳步至长晶阶段，并开始向上结晶。该方法通过装料方式和激光测量液位相结合的方式，来控制籽晶熔化剩余高度，具有精度高、稳定、自动化程度高、成本低等优点，可以稳定得把铸锭单晶生产熔化过程籽晶剩余高度控制在目标值±2mm范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 控制 铸锭 单晶硅 籽晶 熔化 剩余 高度 方法 | ||
【主权项】：
一种非接触式控制铸锭单晶硅籽晶熔化剩余高度的方法，其特征是：具有如下步骤：1)在坩埚底部铺设籽晶；2)在籽晶上铺设低堆积密度硅料层；3)在低堆积密度硅料层上，铺设高堆积密度硅料层；4)在高堆积密度硅料层上放入掺杂剂及其它多晶硅原料；5)将按照1至4步骤的装料方式进行装料的坩埚置于铸锭炉中，通过控制热场使硅料将从上往下开始逐层熔化，在熔化阶段，通过激光测距仪实时测量硅熔体液面距离激光器的距离；6)当监测到硅熔体液面高度加快下降时，控制铸锭炉由熔化阶段跳步至长晶阶段，固液界面一段时间后将稳定在籽晶的某一高度，并开始向上结晶，完成籽晶诱导，经退火、冷却、出炉得到合格的铸锭单晶晶锭。
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