[发明专利]GdAl3(BO3)4晶体生长助熔剂及GdAl3(BO3)4晶体生长方法有效
| 申请号： | 201210047054.4 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103290475A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 岳银超;胡章贵;毛倩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B9/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王朋飞;张庆敏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GdAl3(BO3)4晶体生长助溶剂及GdAl3(BO3)4晶体生长方法，本发明的GdAl3(BO3)4晶体生长助溶剂所述助熔剂为Al2O3-硼化物-锂化物-金属氟化物混合体系。通过本发明的GdAl3(BO3)4晶体生长助溶剂及GdAl3(BO3)4晶体生长方法可有效降低晶体生长温度，提高晶体生长过程中的晶体稳定性，并可提高晶体生长质量，获得大尺寸晶体。 | ||
| 搜索关键词： | gdal sub bo 晶体生长 熔剂 方法 | ||
【主权项】：
一种GdAl3(BO3)4晶体生长助熔剂，其特征在于，所述助熔剂为Al2O3‑硼化物‑锂化物‑金属氟化物混合体系；其中，Al2O3∶硼化物∶锂化物∶金属氟化物的摩尔比为(5～8)∶(2～4)∶(0.5～2)∶(0.0～1.5)。
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