[发明专利]生物传感器芯片及其制造方法无效
| 申请号: | 201210045172.1 | 申请日: | 2012-02-24 |
| 公开(公告)号: | CN102651335A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
| 发明(设计)人: | 弗朗斯·韦德肖翁 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;G01N27/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | 一种形成生物传感器芯片的方法,使得能够以不同材料形成键合焊盘和检测电极(其中之一由例如铜的连接层形成,另一个由例如钽或氮化钽的扩散阻挡层形成)。对键合焊盘和检测电极均使用单一平坦化操作。通过使用相同的处理,可以避免在已平坦化的表面上进行抗蚀剂构图,并且可以确保键合焊盘和检测电极的清洁度。获得了自对准的纳米电极和键合焊盘。 | ||
| 搜索关键词: | 生物 传感器 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种形成生物传感器芯片的方法,包括:在半导体晶片中形成半导体部件;在覆盖所述半导体部件的电介质层(200)中形成填充导电连接区域(204a,204b),所述填充导电连接区域(204a,204b)与所述半导体部件电接触,并至少包括键合焊盘连接区域(204a)和检测电极连接区域(204b);在所述电介质层上形成第一覆层(206),以及在所述第一覆层中形成至少一个与检测电极连接区域(204b)接触的填充导电连接通孔(208),其中在所述至少一个键合焊盘连接区域(204a)上不形成连接通孔;在第一覆层(206)上形成第二覆层(222);在第二覆层中形成至少一个通孔(203),所述通孔与所述第一覆层(206)中的所述至少一个填充导电连接通孔(208)对准;在第二覆层中形成键合焊盘开口(232),该开口在键合焊盘连接区域(204a)上方并向下延伸到电介质层(200);在所得结构的顶部上方形成扩散阻挡层(240,242),所述扩散阻挡层完全填满所述第二覆层中的所述至少一个通孔(230);在所得结构的顶部上方设置键合焊盘连接层(250),所述连接层填满衬有所述扩散阻挡层的键合焊盘开口(232);以及对所得结构向下平坦化到第二覆层(222)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





