[发明专利]Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法无效
| 申请号： | 201210037639.8 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102534764A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张艳华;马文全;曹玉莲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B25/18;C30B28/12;C30B28/14;C30B29/40;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InAs/GaSbⅡ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法，包括：选择一衬底，作为外延层的承载体；在该衬底上外延生长缓冲层；降温，在该缓冲层上外延生长p型掺杂的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格层；在该p型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层上外延生长本征InAs/GaSbⅡ类超晶格吸收层；在该本征InAs/GaSbⅡ类超晶格吸收层上外延生长n型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层；在该n型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层上外延生长n型掺杂的InAs盖层，完成InAs/GaSbⅡ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 晶格 光谱 红外 光电 探测器 材料 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种InAs/GaSbⅡ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法，其特征在于，包括：步骤1：选择一衬底，作为外延层的承载体；步骤2：在该衬底上外延生长缓冲层；步骤3：降温，在该缓冲层上外延生长p型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层；步骤4：在该p型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层上外延生长本征InAs/GaSbⅡ类超晶格吸收层；步骤5：在该本征InAs/GaSbⅡ类超晶格吸收层上外延生长n型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层；步骤6：在该n型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层上外延生长n型掺杂的InAs盖层，完成InAs/GaSbⅡ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长。
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