[发明专利]热处理装置及热处理装置的温度测量方法有效
| 申请号: | 201210037049.5 | 申请日: | 2012-02-17 |
| 公开(公告)号: | CN102646615A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
| 发明(设计)人: | 菅野聪一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F27B17/00;F27D19/00;G01K7/04 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供热处理装置及热处理装置的温度测量方法。该热处理装置谋求减少热电偶的设置成本且不需要校正来自热电偶的信号。基准区域(A1)的炉内温度传感器(50)具有由R热电偶或者S热电偶构成的第1热电偶(81)、由除了R热电偶和S热电偶之外的热电偶构成的第2热电偶(82),其他的区域(A2、...A10)的炉内温度传感器具有第2热电偶。基准区域的第2热电偶、其他的区域的第2热电偶与电动势差电路(83)连接,利用该电动势差电路求得基准区域与其他的区域之间的温度差。利用基准区域的第1热电偶求得基准区域的温度,利用该基准区域的温度和利用电动势差电路求得的温度差求得各其他的区域的温度。 | ||
| 搜索关键词: | 热处理 装置 温度 测量方法 | ||
【主权项】:
一种热处理装置,其特征在于,该热处理装置包括:炉主体,其在内周面上设有加热部;处理容器,其配置在炉主体内,在该处理容器与炉主体之间形成有包括多个区域的空间,并且用于在内部收容多个被处理体;炉内温度传感器,其与空间的各区域相对应地设置;炉内温度计算部,其用于基于来自各炉内温度传感器的信号来求得炉内温度;控制部,其用于基于利用炉内温度计算部求得的炉内温度来控制加热部,设在空间中的基准区域中的炉内温度传感器包括由R热电偶或者S热电偶构成的第1热电偶、由除了R热电偶和S热电偶之外的热电偶构成的第2热电偶,设在其他的区域中的炉内温度传感器包括第2热电偶,炉内温度计算部具有:电动势差电路,其与基准区域的第2热电偶、其他的区域的第2热电偶连接,用于求得基准区域与其他的区域的温度差;第1热电偶电动势测量电路,其与基准区域的第1热电偶连接,用于基于来自该第1热电偶的信号来求得基准区域的温度;加算器,其与第1热电偶电动势测量电路、其他的区域所对应的电动势差电路连接,用于将来自第1热电偶电动势测量电路的信号与来自该电动势差电路的信号相加而求得其他的区域的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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