[发明专利]具有可变间隙宽度的MEMS装置和制造方法

摘要

本发明涉及具有可变间隙宽度的MEMS装置和制造方法。MEMS装置(40)包括基础结构(42)和悬置在该基础结构上方的微结构(44)。基础结构(42)包括：形成在基板(48)上的氧化物层(50)，形成在氧化物层上的结构层(54)以及形成在结构层上的绝缘层(56)。形成覆盖基础结构的牺牲层(112)，并将微结构(44)形成在牺牲层(112)上的另一结构层(116)中。方法(90)涉及去除牺牲层(112)和氧化物层(50)的一部分以释放微结构，并暴露基板(48)的顶表面(52)。在去除之后，在微结构与顶表面之间生成的间隙(80)的宽度(86)大于在微结构与结构层之间生成的间隙(84)的宽度(88)。

主权项

一种用于制造微机电系统(MEMS)装置的方法，该方法包括：提供基板；形成覆盖所述基板的第一电介质层；形成覆盖所述第一电介质层的第一结构层；在所述第一结构层上形成第二电介质层，以生成其中所述第一电介质层的一部分从所述第一结构层和所述第二电介质层两者暴露的基础结构；形成覆盖所述基础结构的所述第一电介质层的所述部分和所述第二电介质层的牺牲层；在所述牺牲层上形成第二结构层；以及选择性地去除所述牺牲层和所述第一电介质层的所述部分，以暴露所述基板的、处于所述第一电介质层的所述部分下面的顶表面。