[发明专利]用于浸入式光刻的光学装置及包含该装置的投影曝光设备无效
| 申请号： | 201210032727.9 | 申请日： | 2007-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN102540766A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | S.西克斯;M.利尔;R.迪辛;B.盖尔里奇;M.威德曼;A.舒伯特;T.冯巴本;T.伊尔 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于浸入式光刻的光学装置，其包含：施加了疏水性涂层(6，7)的至少一个组件(1)，该疏水性涂层(6，7)在操作投影镜期间暴露于紫外辐射，而该至少一个组件(1)在操作投影镜期间至少部分地被浸渍液润湿。该疏水性涂层(6，7)包含至少一层吸收和/或反射波长小于260nm的紫外辐射的抗紫外层(6)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 浸入 光刻 光学 装置 包含 投影 曝光 设备 | ||
【主权项】：
用于浸入式光刻的光学装置，其包含：施加了疏水性涂层(6，7；108)的至少一个组件(1，105)，该疏水性涂层(6，7；108)在操作投影镜(13，102)期间暴露于紫外辐射，该至少一个组件(1，105)在操作投影镜(13，102)期间至少部分地被浸渍液(22，107)润湿，其特征在于，该疏水性涂层(6，7；108)包含至少一层吸收和/或反射波长小于260nm的紫外辐射的抗紫外层(6，108)。
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