[发明专利]外延生长缺陷控制结构、包含缺陷控制结构的发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210031829.9 | 申请日： | 2012-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN102683525A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 张剑平;王红梅;闫春辉 | 申请（专利权）人： | 亚威朗集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;杨文娟 |
| 地址： | 香港中环都*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 一种减少发光器件比如发光二极管(LED)中位错或其它缺陷的方法，该方法通过原位引入纳米颗粒到发光器件的缺陷控制层、N型层、P型层量子阱、或其他层中实现。还提供一种发光器件，且纳米颗粒被原位引入到该发光器件的缺陷控制层、N型层、P型层量子阱中、或其他层中。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 缺陷 控制 结构 包含 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光器件包含：缺陷控制层，具有分配在其中的纳米颗粒；以及发光器件结构，形成在所述缺陷控制层上，其中，所述纳米颗粒是在所述缺陷控制层形成过程中被原位分配到所述缺陷控制层中的。
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