[发明专利]随机噪声源及其制作方法无效
| 申请号： | 201210030705.9 | 申请日： | 2012-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN102570978A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 黄寓洋;张耀辉;李文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H03B29/00 | 分类号： | H03B29/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种随机噪声源及其制作方法，该随机噪声源包括固定在微波印刷电路板上并与之电连接的二端半导体超晶格器件。该二端半导体超晶格器件包括：半绝缘半导体衬底，依序外延生长在半绝缘半导体衬底上的第一半导体接触层、半导体超晶格层结构及第二半导体接触层，以及第一及第二接触电极。第一半导体接触层、半导体超晶格层结构和第二半导体接触层的材料为Ⅲ-Ⅴ族或Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，并且第一半导体接触层、半导体超晶格层结构中的势阱层和第二半导体接触层分别掺杂有n型杂质。本发明利用半导体超晶格器件的固态自发混沌振荡特性，可实现真随机性、高质量及高带宽的随机噪声源，实现带宽GHz以上的平坦宽带混沌信号的输出。 | ||
| 搜索关键词： | 随机 噪声 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种随机噪声源，其特征在于，包括：微波印刷电路板；以及二端半导体超晶格器件，固定在该微波印刷电路板上，该二端半导体超晶格器件包括：半绝缘半导体衬底；第一半导体接触层，形成在该半绝缘半导体衬底上并掺杂有n型杂质；半导体超晶格层结构，形成在该第一半导体接触层的部分区域上而使得该第一半导体接触层的暴露区域形成台面，并且该半导体超晶格层结构中的势阱层掺杂有n型杂质；第二半导体接触层，形成在该半导体超晶格层结构上并掺杂有n型杂质；以及第一接触电极和第二接触电极，分别形成在该第一半导体接触层形成的台面上以及该第二半导体接触层上并形成欧姆接触，且该第一接触电极和该第二接触电极电性连接至该微波电路板；其中，该第一半导体接触层、该半导体超晶格层结构和该第二半导体接触层的材料为Ⅲ‑Ⅴ族或Ⅱ‑Ⅵ族化合物半导体材料。
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