[发明专利]画素结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201210029658.6 申请日: 2012-02-10
公开(公告)号: CN102569190A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 邱启明;李育宗;高金字 申请(专利权)人: 福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350015 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提出一种画素结构的制作方法。在基板上形成薄膜晶体管并形成绝缘层,以覆盖基板以及薄膜晶体管。利用半调式光罩图案化绝缘层而形成凸起图案、与凸起图案连接的凹陷图案以及位于凹陷图案中的开口。凸起图案的厚度大于凹陷图案的厚度。开口贯穿凹陷图案而曝露出薄膜晶体管的汲极。形成透光导电层,以覆盖凸起图案、凹陷图案并填入开口。形成平坦层,以覆盖透光导电层。移除位于凸起图案上的部分平坦层、部份透光导电层以及开口中的部分平坦层,而使透光导电层形成画素电极图案。一种以上述方法所制作的画素结构亦被提出。
搜索关键词: 结构 及其 制作方法
【主权项】:
一种画素结构的制作方法,其特征在于,包括:提供一基板;在该基板上形成一薄膜晶体管;在该基板上形成一绝缘层,以覆盖该基板以及该薄膜晶体管;利用一半调式光罩图案化该绝缘层,以形成一凸起图案、与该凸起图案连接的一凹陷图案以及位于该凹陷图案中的一开口,其中该凸起图案的厚度大于该凹陷图案的厚度,该开口贯穿该凹陷图案而曝露出该薄膜晶体管的一汲极;在该基板上形成一透光导电层,以覆盖该凸起图案、该凹陷图案并填入该开口;形成一平坦层,以覆盖该透光导电层;以及移除位于该凸起图案上的部分该平坦层、部份该透光导电层以及该开口中的部分平坦层,而使该透光导电层形成一画素电极图案。
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