[发明专利]画素结构及其制作方法有效
申请号: | 201210029658.6 | 申请日: | 2012-02-10 |
公开(公告)号: | CN102569190A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 邱启明;李育宗;高金字 | 申请(专利权)人: | 福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350015 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提出一种画素结构的制作方法。在基板上形成薄膜晶体管并形成绝缘层,以覆盖基板以及薄膜晶体管。利用半调式光罩图案化绝缘层而形成凸起图案、与凸起图案连接的凹陷图案以及位于凹陷图案中的开口。凸起图案的厚度大于凹陷图案的厚度。开口贯穿凹陷图案而曝露出薄膜晶体管的汲极。形成透光导电层,以覆盖凸起图案、凹陷图案并填入开口。形成平坦层,以覆盖透光导电层。移除位于凸起图案上的部分平坦层、部份透光导电层以及开口中的部分平坦层,而使透光导电层形成画素电极图案。一种以上述方法所制作的画素结构亦被提出。 | ||
搜索关键词: | 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种画素结构的制作方法,其特征在于,包括:提供一基板;在该基板上形成一薄膜晶体管;在该基板上形成一绝缘层,以覆盖该基板以及该薄膜晶体管;利用一半调式光罩图案化该绝缘层,以形成一凸起图案、与该凸起图案连接的一凹陷图案以及位于该凹陷图案中的一开口,其中该凸起图案的厚度大于该凹陷图案的厚度,该开口贯穿该凹陷图案而曝露出该薄膜晶体管的一汲极;在该基板上形成一透光导电层,以覆盖该凸起图案、该凹陷图案并填入该开口;形成一平坦层,以覆盖该透光导电层;以及移除位于该凸起图案上的部分该平坦层、部份该透光导电层以及该开口中的部分平坦层,而使该透光导电层形成一画素电极图案。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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