[发明专利]一种正激式开关电源驱动电路无效

专利信息
申请号: 201210028094.4 申请日: 2012-02-09
公开(公告)号: CN102570781A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 李东昊;何晓宇;赵斌;曹海江;杨帆 申请(专利权)人: 北京机械设备研究所
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 中国航天科工集团公司专利中心 11024 代理人: 岳洁菱
地址: 100854 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种正激式开关电源驱动电路,包括:PMOS管V1、NMOS管V2、二极管D1、二极管D2,还包括:电容C和变压器T,变压器包括A、B、C、D四个绕组,变比为1:1:1:1。各组成部分由PCB印制板导线连接。此驱动电路通过输入端的方波信号来控制PMOS管V1及NMOS管V2的开通与关断,变压器T绕组C、变压器T绕组D为驱动电路的两路输出端。相对于其他驱动电路,此驱动电路具有响应速度快、防偏磁等优点,此驱动电路可以提供占空比不大于50%的驱动信号。
搜索关键词: 一种 正激式 开关电源 驱动 电路
【主权项】:
一种正激式开关电源驱动电路,包括:PMOS管V1、NMOS管V2、二极管D1、二极管D2,其特征在于还包括:电容C和变压器T,其中,变压器T,包括:绕组A、绕组B、绕组C、绕组D,绕组A、绕组B、绕组C、绕组D变比为1:1:1:1;PMOS管V1的门极与控制电路的信号输出端连接,PMOS管V1的漏极与辅助供电的正极连接,PMOS管V1的源极与二极管D1的阳极连接;二极管D1的阴极与NMOS管V1的漏极连接,NMOS管V1的门极与控制电路的信号输出端连接,NMOS管V1的源极与地连接;NMOS管V1的漏极同时与电容C的一端连接,电容C的另一端与地连接;NMOS管V1的漏极同时与变压器T绕组A的2端连接,变压器T绕组A的1端与辅助供电的正极连接;变压器T绕组B的4端与辅助供电的正极连接,变压器T绕组B的3端与二极管D2的阴极连接,二极管D2的阳极与地连接;变压器T的C绕组的5端和D绕组的7端分别与被驱动的开关管的门极连接,C绕组的6端和D绕组的8端分别与被驱动的开关管的源极连接; 当驱动信号DR1为高电平时,PMOS管V1关断,NMOS管V2导通,电容C通过NMOS管V2放电到零;变压器T绕组A的1端接辅助供电的正极、变压器T绕组A的2端接地,变压器T绕组A的1端、变压器T绕组A的2端之间电压降为辅助供电压降,所以变压器T绕组B的3端为高电平、变压器T绕组B的4端为低电平,变压器T绕组C的5端为高电平、变压器T绕组C的6端为低电平,变压器T绕组D的7端为高电平、变压器T绕组D的8端为低电平;二极管D2反向截止;变压器T绕组C的5端、变压器T绕组C的6端与变压器T绕组D的7端、变压器T绕组D的8端此时各提供高电平来驱动各自连接的晶体管;从驱动信号DR1变为低电平开始,PMOS管V1导通,NMOS管V2关断,此时二极管D1导通;辅助供电的正极通过PMOS管V1和二极管D1给电容C充电,NMOS管V2漏极电压迅速上升;变压器T的1端和2端之间的电压差由辅助供电压降迅速下降;绕组C的5端、绕组C的6端与绕组D的7端、绕组D的8端的电压也迅速下降,用来关断它们所驱动的晶体管;二极管D2保持反向截止;当NMOS管V2漏极电压升至辅助供电电压,则变压器T绕组A的1端、绕组A的2端之间电压降为0,变压器T绕组B的3端电压与绕组B的4端电压相同,分别为辅助供电电压,二极管D2仍保持反向截止,二极管D1截止;变压器T绕组C的5端、绕组C的6端之间电压降与绕组D的7端、绕组D的8端之间电压降分别为零;二极管D1截止后,变压器T绕组A的激磁电感、漏感以及线路的引线电感与NMOS管V2的结电容及电容C谐振,给NMOS管V2的结电容及电容C继续充电,使得NMOS管V2的漏极电压继续升高,当NMOS管V2漏极电压升至30V时,绕组B的3端电压降为0V,二极管D2不再承受反偏电压,二极管D2导通;二极管D2导通后,变压器T的激磁电流通过绕组B续流,驱动变压器进行磁复位,激磁电流逐渐减小,变压器T绕组A的1端与绕组A的2端间、变压器T绕组C的5端与绕组C的6端之间、变压器T绕组D的7端与绕组D的8端之间电压就被钳位于负的辅助供电电压;当流过绕组B的激磁电流降为0时,NMOS管V2的结电容及电容C放电,激磁电流反向,NMOS管V2的漏极电压由30V开始降低,绕组B的3端电压从0V开始升高,二极管D2再次反向截止;当NMOS管V2漏极电压降至15V时,变压器T绕组A的1端、绕组A的2端之间电压降为0,变压器T绕组B的3端与绕组B的4端之间、变压器T绕组C的5端与绕组C的6端之间、变压器T绕组D的7端与绕组D的8端之间电压均保持为0,直到下一个开关周期。
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