[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，所要解决的课题是如何制造出特性良好的半导体器件以及如何提高处理率及降低制造成本。通过在开口部(OA1)及绝缘膜(21、23)上形成铜的Cu籽晶层(27)的工序、在Cu籽晶层上形成光致抗蚀剂膜的工序、在Cu籽晶层上通过电镀成长形成铜膜(31a)的工序及在铜膜上形成Ni膜(31b)的工序等形成再布线(31)后，在再布线(31)上的开口部(OA2、焊盘区域)形成Au膜(33b)，之后除去光致抗蚀剂膜并对Ni膜(31b)实施钝化处理。随后，对再布线(31)的形成区域以外的Cu籽晶层(27)进行蚀刻。根据所述工序，在Ni膜(31b)的表面形成有钝化膜(35)，因此能够减少因上述蚀刻造成的Ni膜(31b)的膜损耗。而且，还可减少因考虑到膜损耗而增加Ni膜的厚度所造成的基板变形而引起的问题。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序(a)至工序(f)：工序(a)，即在基板的上方形成由导电性膜构成的第一布线的工序；工序(b)，即在所述第一布线上形成第一绝缘膜的工序，其中，所述第一绝缘膜中露出所述第一布线的第一区域；工序(c)，即形成从所述第一布线的所述第一区域延伸到所述第一绝缘膜上的第二布线的工序，并且该工序通过工序(c1)至工序(c4)形成由第一铜膜、第二铜膜及镍膜构成的所述第二布线，其中，工序(c1)，即在所述第一区域及所述第一绝缘膜上形成以铜为主成分的所述第一铜膜的工序；工序(c2)，即在所述第一铜膜上形成在所述第二布线的形成区域开口的第一掩膜的工序；工序(c3)，即在所述第二布线的形成区域的所述第一铜膜上通过电镀成长形成以铜为主成分的所述第二铜膜的工序；工序(c4)，即在所述第二铜膜上形成以镍为主成分的所述第一镍膜的工序；工序(d)，即在所述第二布线上的焊盘区域形成以金为主成分的金膜的工序；工序(e)，即在所述工序(d)后除去所述第一掩膜，并对所述第一镍膜实施钝化处理，从而在所述第一镍膜的表面形成镍钝化膜的工序，以及工序(f)，即在所述工序(e)后对所述第一铜膜进行蚀刻的工序。