[发明专利]一种基于Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器

摘要

本发明提供了一种基于Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器。其特征在于，其中包括：一Pt/Ti/SiO2/Si衬底；一导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜；一导电类型为p型的Mn-Co-Ni-O薄膜；在导电类型为p型Mn-Co-Ni-O薄膜部分膜面上制作顶电极，同时刻蚀薄膜直到露出部分Pt/Ti/SiO2/Si衬底的表面导电层作为底电极。制备出pn结，产生光生伏特效应，以实现紫外-可见-红外宽波段探测。

主权项

一种基于Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器，包括：Pt/Ti/SiO2/Si衬底(1)、导电类型为n型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)、导电类型为p型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(3)、顶电极(4)和底电极(5)，其特征在于：在Pt/Ti/SiO2/Si衬底(1)上依次制备膜厚为100纳米到9微米的导电类型为n型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)，膜厚为100纳米到9微米的导电类型为p型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(3)；在导电类型为p型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(3)的部分膜面上制作一块导电层作为顶电极(4)，底电极(5)制作在去除一部分导电类型为n型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)和导电类型为p型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(3)后露出的衬底表面导电层上。