[发明专利]发光二极管数组及其制造方法无效
申请号: | 201210011016.3 | 申请日: | 2012-01-13 |
公开(公告)号: | CN103208503A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 洪瑞华;卢怡安;刘恒 | 申请(专利权)人: | 华夏光股份有限公司;财团法人成大研究发展基金会 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/36;H01L33/48;H01L33/00 |
代理公司: | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人: | 文琦;陈波 |
地址: | 开曼群岛孟帕里斯&卡尔德,P.O.Box.*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | 一种发光二极管数组,包含一具有第一电极的第一发光二极管以及一具有第二电极的第二发光二极管,第一发光二极管以及第二发光二极管相隔一距离。一第一聚合物层位于第一发光二极管以及第二发光二极管之间。一互联线其至少部分位于第一聚合物层上,且连接第一电极与第二电极。一永久基板耦接(coupled)两发光二极管于互联线的相反侧。一第二聚合物层至少部分包覆发光二极管于具有互联线的一侧。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 数组 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管数组,包括:一具有一第一电极的第一发光二极管;一具有一第二电极的第二发光二极管,其中所述第一发光二极管与所述第二发光二极管间隔一距离;一第一聚合物层,位于所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间;一互联线,该互联线至少部分位于所述第一聚合物层上,并连接所述第一电极与所述第二电极;一永久基材,耦接所述发光二极管相对于所述互联线的一侧;以及一第二聚合物层,至少包覆发光二极管具有互联线的一侧的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的