[发明专利]一种具有超结结构的沟槽肖特基半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201210006384.9 | 申请日： | 2012-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103199119B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 朱江;盛况 | 申请（专利权）人： | 盛况 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超结结构的沟槽肖特基半导体装置，通过沟槽内下部的第二导电半导体材料与沟槽之间的第一导电半导体材料可以形成电荷补偿，形成超结结构，提高器件的反向击穿电压；同时，当半导体装置接一定的反向偏压时，沟槽内上部设置的金属或高浓度杂质掺杂的第二导电半导体材料与沟槽侧壁的绝缘介质构成MOS结构，可以抑制肖特基势垒结附近漂移材料的电场强度，抑制了肖特基势垒随反向偏压升高势垒高度降低的现象，从而降低器件的反向漏电流，提高器件的反向阻断特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 沟槽 肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有超结结构的沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：包括：多个沟槽位于第一导电半导体材料表面；沟槽内壁的表面设置有绝缘介质；沟槽内下部设置有第二导电半导体材料，其与第一导电半导体材料形成电荷补偿结构，沟槽内上部设置有金属或高浓度杂质掺杂的第二导电半导体材料，沟槽内上部设置的金属或高浓度杂质掺杂的第二导电半导体材料与沟槽侧壁的绝缘介质和第一导电半导体材料构成MOS结构；沟槽之间第一导电半导体材料上部为肖特基势垒结；半导体装置上表面和下表面覆盖有金属，上表面金属将肖特基势垒结阳极与沟槽上部材料并联，用于实现沟槽内上部和器件表面等电势。
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